AEC-Q200的環(huán)境試驗條件，主要是依據MIL-STD-202與JEDEC22A-104規(guī)范來制定的，不同零件的試驗溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同，高溫儲存屬于不施加偏壓與負載，但是在高溫工作壽命就需要，溫度循環(huán)與溫度沖擊，其試驗目的與手法不一樣，在溫度循環(huán)中高低溫變化需控制溫變率，溫沖擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗。

試驗條件注意事項：1000h試驗過程需在250h、500h進行間隔量測

1、高溫儲存(MIL-STD-202-108)：【適用設備：THS】

薄膜電容、網路低通濾波器、網路電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h

電感、變壓器、電阻：125℃/1000h

變阻器：150℃/1000h

鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：zui大額定溫度/1000h

2、高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)：【適用設備：THS】

網路低通濾波器、網路電阻：85℃/1000h

EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h/施加額定IL

鉭電容、陶瓷電容：zui大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓

鋁電解電容、電感、變壓器：105℃/1000h

薄膜電容：1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓)

自恢復保險絲：125℃/1000h

電阻、熱敏電阻、可變電容：125℃/1000h/額定電壓

可變電阻：125℃/1000h/額定功率

變阻器：125℃/1000h/額定電壓85％+ma電流

陶瓷共鳴器：85℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容

石英震蕩器：125℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容

3、溫度循環(huán)(JEDEC22A-104)：【適用設備：TSC、ESS】

薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：-55℃(30min)← →85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles

鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻： -55℃(30min)← →125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

鋁電解電容：-40℃(30min)← →105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

電感、變壓器、變阻器、石英震盪器、自恢復保險絲：-40℃(30min)← →125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles

網路低通濾波器、網路電阻：-55℃(30min)← →125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

4、溫度沖擊(MIL-STD-202-107)：【適用設備：TC、ATSK】

自恢復保險絲：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles

偏高濕度(MIL-STD-202-103)：[適用設備：THS]

鉭電容、陶瓷電容：85℃/85%R.H./1000h/電壓1.3～1.5V

電感&變壓器：85℃/85%R.H./1000h/不通電

鋁電解電容：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓 E

MI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓＆電流

電阻、熱敏電阻：85℃/85%R.H./1000h/工作電源10%

自恢復保險絲：85℃/85%R.H./1000h/額定電流10%

可變電容、可變電阻：85℃/85%R.H./1000h/額定功率10%

網路低通濾波器&網路電阻：85℃/85%R.H./1000h/電壓【網路電容(額定電壓)、網路電阻(10%額定功率)】

變阻器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓85％+ma電流

石英震蕩器、陶瓷共鳴器：85℃/85%R.H./1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容

薄膜電容：40℃/93%R.H./1000h/額定電壓

5、濕度抵抗(MIL-STD-202-106)：【適用設備：THS】

薄膜電容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通電

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